型号:NP82N06MLG-S18-AY | 类别:FET - 单 | 制造商:Renesas Electronics America |
封装:TO-220-3 | 描述:MOSFET N-CH TO-220 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH TO-220 |
系列 | - |
制造商 | Renesas Electronics America |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 82A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 7.4 毫欧 @ 41A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 160nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 8550pF @ 25V |
功率_最大 | 1.8W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220-3 |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市春涛电子有限公司 | 王云0755-82563615 82563213 |
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
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